SRAM與快閃記憶體

NAND 型快閃記憶體寫入（程式化）時，主要使用的電子注入方式為何？

  1. AFN（富爾-諾德海姆）穿隧電流
  2. B以光激發電子
  3. C以磁場移動電子
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正確答案：A. FN（富爾-諾德海姆）穿隧電流

NAND 對控制閘極施加約 20 V 的高電壓，使電子穿過薄的穿隧氧化膜，從通道注入電荷儲存層。這種量子力學的穿隧電流就是 FN 穿隧電流。由於每個單元的電流極小，可同時寫入一頁數萬個單元。NOR 型也常使用通道熱電子注入，即對汲極施加電壓加速電子後注入，速度快，但電流較大。

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