什麼是電荷捕捉型單元

取代浮動閘極，將電子儲存在氮化矽膜等絕緣膜中陷阱裡的快閃記憶體單元。主要用於 3D NAND。

日文名稱: 電荷トラップ型セル

「電荷捕捉型單元」出現在1領域的1道練習題中（SRAM與快閃記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體

練習電荷捕捉型單元的題目

3D NAND 中常用的電荷捕捉型單元，用來儲存電荷的層，其一般材料為何？

  1. A銅
  2. B氮化矽膜（SiN）
  3. C鋁
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正確答案：B. 氮化矽膜（SiN）

電荷捕捉型單元不使用導電性的浮動閘極，而是把電子儲存在絕緣體氮化矽膜中的捕捉能階（trap）。由於電荷局限在膜中而不會移動，即使絕緣膜的一部分有缺陷，也不會讓全部電荷洩漏，與相鄰單元的干擾也較小。SiO2/SiN/SiO2 的堆疊（ONO）可連續沉積在孔壁上，是與縱向堆疊的 3D NAND 相容性良好的結構。

解析中的「電荷捕捉型單元」

出現「電荷捕捉型單元」的題目（1題）

  1. 3D NAND 中常用的電荷捕捉型單元，用來儲存電荷的層，其一般材料為何？

相關名詞

3D NAND 浮動閘極 6T SRAM 單元 垃圾回收 非揮發性記憶體 損耗平均 寫入放大 讀取干擾 FN 穿隧電流(富勒-諾德海姆) NAND 型快閃記憶體

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