什麼是非揮發性記憶體
關閉電源後所記憶的資料也不會消失的記憶體。例如快閃記憶體與 MRAM 等。DRAM 與 SRAM 則是揮發性。
日文名稱: 不揮発性メモリ
「非揮發性記憶體」出現在2領域的8道練習題中(SRAM與快閃記憶體, 新世代記憶體等)。
這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體
關閉電源後所記憶的資料也不會消失的記憶體。例如快閃記憶體與 MRAM 等。DRAM 與 SRAM 則是揮發性。
日文名稱: 不揮発性メモリ
「非揮發性記憶體」出現在2領域的8道練習題中(SRAM與快閃記憶體, 新世代記憶體等)。
這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體
若將非揮發性記憶體用於快取或暫存器,即使在沒有處理的瞬間細密地關閉電源,資料也會留存,因此可使待機功耗幾近於 0,恢復也更快(常閉運算,Normally-off Computing)。
將非揮發性記憶體用於快取或暫存器等處所期待的系統節能機制,下列何者正確?MRAM 以磁性體的磁化方向記憶,因此是斷電後資料仍會保留的非揮發性記憶體,保存期間一般在 10 年以上。
下列記憶體中,斷電後資料仍會保留的非揮發性記憶體是哪一個?快閃記憶體是將電子封閉在被絕緣膜包圍的浮動閘極或電荷捕捉層中來記憶,因此是斷電後資料仍會保留的非揮發性記憶體。
關於快閃記憶體的性質,下列何者正確?USB 隨身碟、SD 卡與 SSD 使用的是大容量且便宜的非揮發性記憶體 NAND 快閃記憶體,內部有 NAND 晶片,以及負責錯誤更正與損耗平均的控制器。
USB 隨身碟與 SD 卡主要使用的記憶體是下列何者?EEPROM 是可以 1 位元組為單位抹除、改寫的非揮發性記憶體,每個單元都要附加選擇電晶體,因此單元較大,容量約為數 Kbit~數 Mbit。
EEPROM 與快閃記憶體的差異,下列何者正確?浮動閘極 MRAM 微控制器 High-k/金屬閘極 更新(Refresh) ReRAM(電阻式記憶體) 光罩(Reticle) 磁性穿隧接面(MTJ) 晶圓代工廠 常閉型(Normally-off)