關於僅將電漿產生的自由基供應給晶圓的下游式（downflow）蝕刻，下列特徵何者正確？

正確答案：B. 幾乎沒有離子轟擊，因此損傷少，可進行等向性蝕刻

下游式（遠端電漿型）使產生電漿的位置與晶圓分離，離子與電子在途中再結合而消失，因此只有壽命長的中性自由基能抵達晶圓。由於沒有離子撞擊，電漿產生的紫外線也被阻擋，損傷較少，並可進行等向性蝕刻。用於光阻的去除、不希望受損的步驟中的膜去除，以及奈米片之間SiGe的去除等。