氧化與擴散
矽的熱氧化一般進行的溫度範圍，下列何者最接近？
- A約 100～200℃
- B約 800～1,200℃
- C約 2,000～3,000℃
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正確答案：B. 約 800～1,200℃
矽的熱氧化一般在 800～1,200 ℃ 左右進行，溫度越高進行越快。矽的熔點約為 1,414 ℃，所以這個溫度遠低於熔點。即使在室溫，矽表面也會立刻形成約 1 nm 的原生氧化層，但之後幾乎不再成長。在先進製程中，為了降低熱預算，也越來越常以自由基氧化等方式在更低的溫度氧化。
- A. 在約 100～200℃，矽的氧化幾乎不會進行。
- B. 正確。在 800～1,200℃ 左右進行。
- C. 約 2,000℃ 以上已超過矽的熔點。