關於使用氧自由基的自由基氧化，下列特徵何者正確？

正確答案：A. 即使在較低溫度也能製作優質氧化層，且晶面方向造成的氧化速率差異也小

以電漿等產生的氧自由基反應性高，因此即使在 400～600 ℃ 左右的較低溫度，也能形成接近熱氧化的優質氧化層。與一般熱氧化相比，晶面方向造成的氧化速率差異與轉角部分的氧化延遲都較小，且氮化膜也能被氧化，因此被用於 FinFET 鰭片與 3D NAND 這類立體結構，以及熱預算嚴格的製程之氧化。