什麼是FinFET(鰭式場效電晶體)
通道呈鰭片(Fin)狀豎立，閘極從三個方向包覆通道的立體結構電晶體。容易抑制短通道效應。
日文名稱: FinFET
「FinFET(鰭式場效電晶體)」出現在2領域的20道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）, 氧化與擴散等）。
這個名詞所屬的領域: 先進電晶體（FinFET與GAA）
練習FinFET(鰭式場效電晶體)的題目
下列關於 FinFET 結構特徵的敘述，何者正確？
- A通道立成鰭片（Fin）狀，閘極從三個方向包覆
- B只以平面閘極覆蓋通道的上表面
- C不使用閘極絕緣膜，讓金屬直接接觸通道
在 FinFET 中，調整電晶體有效通道寬度的方法，下列何者正確？
- A以改變鰭片的數量來調整，因此通道寬度為離散的值
- B以閘極電壓的大小來調整
- C與平面型相同，可設定為任意連續的值
解析中的「FinFET(鰭式場效電晶體)」
FinFET 是將矽立成寬數 nm 至十幾 nm、高數十 nm 的鰭片（Fin）狀，並以閘極包覆其兩側面與上表面的立體結構電晶體。
下列關於 FinFET 結構特徵的敘述，何者正確？在 FinFET 中，鰭片的高度與寬度由製程決定且為定值，因此通道寬度靠鰭片的數量調整，成為「幾根鰭片」這種離散的值（寬度量子化）。
在 FinFET 中，調整電晶體有效通道寬度的方法，下列何者正確？在 FinFET 中通道寬度只能靠鰭片的數量調整，但在奈米片型 GAA 中，堆疊薄片的寬度（例如 15～50 nm）可以在佈局上連續改變。
與 FinFET 相比，奈米片型 GAA 電晶體在設計上的優點，下列何者正確？Intel 在 22 nm 世代將 FinFET（該公司稱為 Tri-Gate）用於量產，自 2012 年的 Ivy Bridge 起搭載於產品。
首次將 FinFET（Intel 稱之為 Tri-Gate）用於量產邏輯產品的企業與世代之組合，下列何者正確？平面型的微小電晶體曾惡化到 80～100 mV/dec，但 FinFET 因從三個方向控制，改善到約 65～70 mV/dec。
從平面型電晶體轉換為 FinFET 後，次臨界擺幅（SS）一般有何變化？
出現「FinFET(鰭式場效電晶體)」的題目（20題）
- 下列關於 FinFET 結構特徵的敘述，何者正確？
- 在 FinFET 中，調整電晶體有效通道寬度的方法，下列何者正確？
- 與 FinFET 相比，奈米片型 GAA 電晶體在設計上的優點，下列何者正確？
- 用於製作 FinFET 細鰭片，利用側壁間隔物形成比微影極限更細之圖案的技術是哪一個？
- FinFET 或 SOI 電晶體容易發生自發熱問題，其原因為何？
- 在 FinFET 的源極、汲極中，於鰭片上以磊晶成長使晶體隆起的主要目的為何？
- 首次將 FinFET（Intel 稱之為 Tri-Gate）用於量產邏輯產品的企業與世代之組合，下列何者正確？
- 在鰭片高度 50 nm、寬度 6 nm 的 FinFET 中，每根鰭片的有效通道寬度（閘極包覆的周長）最接近下列何者？
- 為了在 FinFET 中充分抑制短通道效應，一般對鰭片寬度的要求為何？
- 從平面型電晶體轉換為 FinFET 後，次臨界擺幅（SS）一般有何變化？
- 在製作於塊材基板上的 FinFET 中，於鰭片根部（閘極不易控制的部分）設置高濃度雜質層的目的為何？
- 在 (100) 面晶圓上以一般方向製作的 FinFET，作為通道的鰭片側面主要為 (110) 面。這對遷移率的影響，下列何者正確？
- 下列關於 GAA（環繞式閘極，Gate-All-Around）型電晶體的說明，何者正確？
- 在微小的電晶體中，因通道中雜質原子的數量與位置的統計變異，而使臨界電壓產生變異的現象稱為什麼？
- 作為表示邏輯微縮程度的指標，被認為比製程的世代名稱（節點名稱）更能反映實況的是哪一個？
出現這個名詞的比較
相關名詞
GAA(環繞式閘極) 短通道效應 奈米片 遷移率 臨界電壓 ALD(原子層沉積) 次臨界擺幅 熱氧化 自由基 SADP(自對準雙重圖案化)