什麼是ALD(原子層沉積)

正確答案：A. 氧化鉿（HfO2）系

氧化鉿一直是 CMOS 中用作 High-k 閘極絕緣膜的材料，2011 年前後有報告指出，添加 Si 或 Zr 而成為特定的結晶相（斜方晶）後，即使厚度只有 10 nm 左右也顯現鐵電性。以往的 PZT 含鉛，變薄後特性下降，難以與 CMOS 整合；相對地，HfO2 系可以用 ALD 沉積出薄而均勻的膜，有望將 FeRAM 與 FeFET 嵌入微細的邏輯電路。

正確答案：A. SADP/SAQP（自對準雙重/四重圖案化）

在 SADP 中，於作為核心的圖案側壁以 ALD 等方式附著均勻的膜以形成間隔物，再移除核心，就能製作出密度為原本兩倍的線條。SAQP 則將此步驟重複兩次，使密度成為四倍。線寬由膜厚而非曝光決定，因此變異小，可形成比 ArF 浸潤式曝光極限（節距約 80 nm）更細的鰭片與配線。即使在 EUV 曝光中，最細的節距也會搭配使用。