蝕刻

關於感應耦合電漿(ICP)型蝕刻設備的特徵,下列何者正確?

  1. A不使用電漿
  2. B以線圈產生高密度電漿,容易分別控制電漿密度與離子能量
  3. C使用液體藥液
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正確答案:B. 以線圈產生高密度電漿,容易分別控制電漿密度與離子能量

ICP型是讓高頻電流通過腔體上方或周圍的線圈,以所產生的感應電場生成10¹¹~10¹² cm⁻³的高密度電漿,並在晶圓側以另一組高頻電源施加偏壓。電漿的密度(自由基與離子的量)與撞擊晶圓的離子能量容易獨立調整,在數Pa以下的低壓下即可進行高速且高度非等向性的蝕刻,廣泛用於矽與金屬的蝕刻。

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