薄膜沉積（CVD與PVD）
關於使用電漿的ALD（PEALD）的優點，下列何者正確？
- A成膜必須在高溫下進行
- B一次即可快速得到厚膜
- C因使用高反應性的自由基，可在比熱ALD更低的溫度成膜，可使用的材料範圍也更廣
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正確答案：C. 因使用高反應性的自由基，可在比熱ALD更低的溫度成膜，可使用的材料範圍也更廣
PEALD在反應階段利用電漿產生氧、氮、氫的高反應性自由基，因此可在比熱ALD更低的溫度（室溫～數百℃）成膜，也能用於僅靠熱難以反應的材料組合（SiN或TiN等）。由於也能在光阻上成膜，因此用於多重圖案化的間隔層。另一方面，自由基在深結構的深處容易失活，階梯覆蓋率有時劣於熱ALD。