什麼是奈米片

將薄板狀的矽通道垂直堆疊多片，並以閘極包覆每一片的GAA電晶體結構。可由奈米片的寬度調整電流。

日文名稱: ナノシート

「奈米片」出現在1領域的11道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。

這個名詞所屬的領域: 先進電晶體（FinFET與GAA）

練習奈米片的題目

與 FinFET 相比，奈米片型 GAA 電晶體在設計上的優點，下列何者正確？

A只能靠鰭片的數量來改變通道寬度
B藉由改變奈米片的寬度，可以更有彈性地調整驅動電流
C閘極長度不影響電晶體的特性

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正確答案：B. 藉由改變奈米片的寬度，可以更有彈性地調整驅動電流

在 FinFET 中通道寬度只能靠鰭片的數量調整，但在奈米片型 GAA 中，堆疊薄片的寬度（例如 15～50 nm）可以在佈局上連續改變。高效能單元採用較寬的薄片，低功耗或 SRAM 則採用較窄的薄片，能有彈性地設計驅動電流與電容。此外，環繞式閘極對短通道效應也具有抵抗力，在相同面積下可獲得比 FinFET 更大的電流。

在奈米片型 GAA 電晶體的製造中，從 Si 與 SiGe 交替堆疊的層中選擇性移除僅 SiGe 層的原因，下列何者正確？

A為了使電晶體變輕
B為了在移除後的空隙中填入閘極絕緣膜與閘極電極，使閘極包覆 Si 奈米片的整個外圍
C因為 SiGe 不導電

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正確答案：B. 為了在移除後的空隙中填入閘極絕緣膜與閘極電極，使閘極包覆 Si 奈米片的整個外圍

在奈米片型 GAA 中，加工將 Si 與 SiGe（Ge 約 25～30%）交替磊晶成長而成的堆疊，移除虛設閘極後，以高選擇比只蝕刻 SiGe，使 Si 薄片懸空。接著以 ALD 在其空隙中填入 High-k 膜與金屬閘極，就形成閘極包覆每片薄片上下左右的結構。不傷及薄片而僅移除 SiGe 的選擇性蝕刻是製造的關鍵。

解析中的「奈米片」

在 FinFET 中通道寬度只能靠鰭片的數量調整，但在奈米片型 GAA 中，堆疊薄片的寬度（例如 15～50 nm）可以在佈局上連續改變。
與 FinFET 相比，奈米片型 GAA 電晶體在設計上的優點，下列何者正確？
在奈米片型 GAA 中，加工將 Si 與 SiGe（Ge 約 25～30%）交替磊晶成長而成的堆疊，移除虛設閘極後，以高選擇比只蝕刻 SiGe，使 Si 薄片懸空。
在奈米片型 GAA 電晶體的製造中，從 Si 與 SiGe 交替堆疊的層中選擇性移除僅 SiGe 層的原因，下列何者正…
在奈米片型 GAA 中，閘極會進入薄片之間的空隙，在數 nm 的距離內與源極、汲極相對。
在奈米片型 GAA 中，設置於各薄片之間的閘極與源極、汲極之間的絕緣物（內間隔物，Inner Spacer）之主要作用…
在 GAA 中，可改變奈米片寬度的彈性，以及與背面供電等新技術的結合，是提升性能的關鍵。
宣布全球首家將 GAA（奈米片）型電晶體用於量產的企業與世代之組合，下列何者正確？
奈米片是厚度約 5 nm、寬度十幾至數十 nm 的薄板狀矽通道，將約 3 片上下堆疊，每一片都由閘極從整個外圍包覆。
奈米片型 GAA 電晶體中的「奈米片」所指為何，下列何者正確？

出現「奈米片」的題目（11題）

出現這個名詞的比較

FinFET 與 GAA 電晶體的差異：結構、控制性、製造比較從閘極結構、通道、靜電控制、寬度調整、製造與採用現況等面向，以表格比較 FinFET 與環繞式閘極（GAA）奈米片電晶體。