什麼是SiGe(矽鍺)
矽與鍺的混晶。晶格常數比矽大，可藉由磊晶成長對通道施加應變，或用於HBT的基極與GAA的犧牲層。
日文名稱: SiGe(シリコンゲルマニウム)
「SiGe(矽鍺)」出現在2領域的8道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）, 雙載子電晶體等）。
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
練習SiGe(矽鍺)的題目
關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？
- A是將基極做成金屬的電晶體
- B基極採用SiGe的異質接面，容易工作到高頻率
- C電流增益固定在1以下
在奈米片型 GAA 電晶體的製造中，從 Si 與 SiGe 交替堆疊的層中選擇性移除僅 SiGe 層的原因，下列何者正確？
- A為了使電晶體變輕
- B為了在移除後的空隙中填入閘極絕緣膜與閘極電極，使閘極包覆 Si 奈米片的整個外圍
- C因為 SiGe 不導電
解析中的「SiGe(矽鍺)」
SiGe HBT是在基極使用能隙較小的SiGe的異質接面雙極性電晶體。
關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？在奈米片型 GAA 中，加工將 Si 與 SiGe（Ge 約 25～30%）交替磊晶成長而成的堆疊，移除虛設閘極後，以高選擇比只蝕刻 SiGe，使 Si 薄片懸空。
在奈米片型 GAA 電晶體的製造中，從 Si 與 SiGe 交替堆疊的層中選擇性移除僅 SiGe 層的原因，下列何者正…鍺與 SiGe 的電洞有效質量小，電洞遷移率比矽高，因此能增大 pMOS 的驅動電流。
作為 pMOS 的通道材料，SiGe 或鍺被研究、採用以取代矽，其原因為何？這是高頻性能的指標，通用小訊號電晶體約為數百MHz，SiGe HBT則有超過300 GHz者。
關於雙極性電晶體的截止頻率fT（transition frequency），下列意義何者正確？現在結合SiGe HBT的SiGe BiCMOS，用於通訊用IC與車用雷達。
將雙極性電晶體與CMOS整合在同一晶片的技術及其目的的組合，下列何者正確？
出現「SiGe(矽鍺)」的題目（8題）
- 關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？
- 在奈米片型 GAA 電晶體的製造中，從 Si 與 SiGe 交替堆疊的層中選擇性移除僅 SiGe 層的原因，下列何者正確？
- 作為 pMOS 的通道材料，SiGe 或鍺被研究、採用以取代矽，其原因為何？
- 關於雙極性電晶體的截止頻率fT（transition frequency），下列意義何者正確？
- 將雙極性電晶體與CMOS整合在同一晶片的技術及其目的的組合，下列何者正確？
- 對電晶體通道施加應變（應力）之技術的主要目的為何？
- 在 FinFET 的源極、汲極中，於鰭片上以磊晶成長使晶體隆起的主要目的為何？
- 在奈米片型 GAA 中，設置於各薄片之間的閘極與源極、汲極之間的絕緣物（內間隔物，Inner Spacer）之主要作用為何？
相關名詞
HBT(異質接面雙載子電晶體) 遷移率 奈米片 GAA(環繞式閘極) 磊晶成長 有效質量 能隙 ALD(原子層沉積) 臨界電壓 電流增益(hFE)