離子佈植
將晶圓直接暴露於含摻質的電漿中，佈植低能量離子的電漿摻雜，其優點下列何者正確？
- A可藉由質量分析準確地只選出目標離子
- B容易在低能量下進行高劑量佈植，且對立體結構也較容易均勻摻雜
- C適合高能量的深層佈植
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正確答案：B. 容易在低能量下進行高劑量佈植，且對立體結構也較容易均勻摻雜
電漿摻雜與掃描離子束的方式不同，是同時對整片晶圓照射離子，因此即使在1 keV以下的低能量，也能在短時間內佈植10¹⁵～10¹⁶ cm⁻²的高劑量。此外，離子與自由基會從各種方向到達，具有對FinFET鰭片等立體結構的側面也容易摻雜的優點。另一方面，由於沒有質量分析，會混入不需要的元素，劑量的量測與控制困難是其課題。