蝕刻
將晶圓冷卻至極低溫進行蝕刻的方法，在高縱橫比加工中受到關注，其原因下列何者正確？
- A因為蝕刻速率變為0
- B因為側壁的反應受到抑制，容易快速地進行垂直的深度加工
- C因為不再需要電漿
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正確答案：B. 因為側壁的反應受到抑制，容易快速地進行垂直的深度加工
將晶圓冷卻至−60 ℃以下等極低溫時，側壁上由自由基引起的自發性化學反應受到抑制，反應生成物與凝結的氣體發揮保護膜的作用，而在離子撞擊的底面則持續進行蝕刻。因此據稱能以傳統2倍以上的速度加工出深而垂直的孔，目前在3D NAND記憶體孔的加工中正逐步導入。冷卻所需的設備技術，以及氟化氫等氣體的選擇是關鍵。