什麼是熱氧化

正確答案：B. 濕式氧化的氧化層成長速率較快

使用水蒸氣的濕式氧化，其氧化劑 H2O 在 SiO2 中的溶解度比 O2 高數百倍，因此成長速率比乾式氧化快數倍至 10 倍左右。例如在 1000 ℃、1 小時的條件下，乾式約為 70 nm，濕式約為 400 nm。濕式氧化適合需要厚膜的元件隔離與遮罩。乾式氧化雖然較慢，但能形成緻密、介面態少的優質薄膜，膜厚也容易控制，因此一直被用於薄的閘極氧化層。

正確答案：A. 約 0.44x

熱氧化是矽本身與氧反應變成 SiO2。由矽的原子密度（約 5.0×10²² cm⁻³）與 SiO2 的分子密度（約 2.3×10²² cm⁻³）之比可知，形成厚度 x 的氧化層所消耗的矽約為 0.44x。氧化層約 44% 位於原始表面之下，56% 向上成長，體積膨脹約 2.2 倍。因此氧化的部分會形成階差，而介面總是新的潔淨表面。