關於矽熱氧化中氧化速率對晶面方向的依賴性，下列何者正確？

正確答案：C. (111) 面的氧化速率比 (100) 面快

在相同條件下，(111) 面的氧化速率比 (100) 面快，尤其在薄膜區域差異較大（約 1.5 倍）。這是因為其表面原子密度較高，可用於氧化反應的鍵結較多。像 FinFET 這類頂面與側面晶面方向不同的結構，氧化層厚度會隨位置而異，因此會採用受晶面方向影響較小的自由基氧化或 ALD 來成膜。