什麼是CVD(化學氣相沉積)

化學氣相沉積。利用原料氣體的化學反應，在晶圓上沉積薄膜的方法。

日文名稱: CVD

「CVD(化學氣相沉積)」出現在1領域的2道練習題中（氧化與擴散等）。

這個名詞所屬的領域: 薄膜沉積（CVD與PVD）

練習CVD(化學氣相沉積)的題目

以相同的稀氫氟酸蝕刻時，熱氧化層與以 CVD 成膜的氧化層，其蝕刻速率的一般關係為何？

  1. A熱氧化層較慢（較緻密）
  2. B熱氧化層較快
  3. C兩者必定以相同速度被蝕刻
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正確答案：A. 熱氧化層較慢（較緻密）

熱氧化層緻密且缺陷少，因此在稀氫氟酸（例如 1%）中的蝕刻速率很慢，每分鐘僅數 nm 左右。CVD 氧化層依成膜條件可能密度較低，或含有氫與水分，一般蝕刻速率較快。相對於熱氧化層的蝕刻速率比（WERR）被用作膜質的指標，經退火緻密化後會接近熱氧化層。

解析中的「CVD(化學氣相沉積)」

出現「CVD(化學氣相沉積)」的題目（2題）

  1. 以相同的稀氫氟酸蝕刻時，熱氧化層與以 CVD 成膜的氧化層，其蝕刻速率的一般關係為何？
  2. 微細的 LSI 主要採用下列何種方法進行元件隔離？

出現這個名詞的比較

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