薄膜沉積(CVD與PVD)

鎢的CVD中用作原料的氣體為下列何者?

  1. ATEOS
  2. B矽烷(SiH4)
  3. C六氟化鎢(WF6)
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正確答案:C. 六氟化鎢(WF6)

在鎢的CVD中,以氫還原WF6(WF6 + 3H2 → W + 6HF)來沉積鎢膜,初期的成核則使用矽烷等。其階梯覆蓋率佳,連直徑數十nm的細小接觸窗(contact hole)也能填充,且熔點高、對電流造成的劣化耐受性強,因此用於連接電晶體與配線的接觸插塞,以及3D NAND字元線的形成。

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