什麼是STI(淺溝槽隔離)

在矽上挖出淺溝槽並填入絕緣膜，再以CMP平坦化以隔離元件的方法。沒有LOCOS的鳥嘴效應，已成為微細LSI元件隔離的標準。

日文名稱: STI(シャロートレンチ分離)

「STI(淺溝槽隔離)」出現在1領域的5道練習題中（氧化與擴散等）。

這個名詞所屬的領域: 氧化與擴散

練習STI(淺溝槽隔離)的題目

微細的 LSI 主要採用下列何種方法進行元件隔離？

  1. A打線接合
  2. BLOCOS（選擇性氧化）
  3. CSTI（淺溝槽隔離）
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正確答案：C. STI（淺溝槽隔離）

現今微細的 LSI 主要採用 STI：在矽中挖出深度約 200～300 nm 的淺溝槽，填入 CVD 氧化層，再以 CMP 平坦化。過去的主流 LOCOS 因氧化層向橫向侵入形成鳥嘴，使隔離寬度無法縮小，表面也殘留階差，所以大約在 0.25 µm 世代起被 STI 取代。STI 平坦且可縮小寬度，也被用於 FinFET 鰭片之間的隔離。

在晶圓表面附近使氫與氧反應，於短時間內製作優質薄氧化層的方法為何？

  1. A濺鍍
  2. BISSG（原位蒸氣產生）氧化
  3. C原子層蝕刻
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正確答案：B. ISSG（原位蒸氣產生）氧化

ISSG 氧化是在減壓至約 1000 Pa 的腔室內，使少量的氫與氧只在加熱晶圓的表面附近反應。產生的氧自由基（O）反應性高，能在短時間內形成緻密且介面良好的薄氧化層。其速率受晶面方向的影響小，STI 溝槽的轉角也能圓滑且均勻地氧化，因此被用於襯墊氧化層、閘極氧化層，以及氮化膜的再氧化等。

解析中的「STI(淺溝槽隔離)」

出現「STI(淺溝槽隔離)」的題目（5題）

  1. 微細的 LSI 主要採用下列何種方法進行元件隔離？
  2. 在晶圓表面附近使氫與氧反應，於短時間內製作優質薄氧化層的方法為何？
  3. 在 LOCOS（選擇性氧化）中，氧化層像鳥嘴般侵入氮化膜遮罩邊緣下方的現象稱為什麼？
  4. 關於矽熱氧化層的典型用途，下列何者正確？
  5. 熱氧化所產生之氧化層的壓縮應力，在約 950℃ 以上的高溫氧化中會變小，其主要原因為何？

相關名詞

LOCOS(局部矽氧化隔離) 熱氧化 CVD(化學氣相沉積) CMP(化學機械研磨) FinFET(鰭式場效電晶體) 自由基 鳥嘴效應 離子佈植 可動離子 合成氣體退火

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