薄膜沉積（CVD與PVD）
以熱CVD沉積氮化矽膜（Si3N4）時所使用的原料氣體組合，下列何者正確？
- A二氯矽烷與氨
- B矽烷與氧
- C六氟化鎢與氫
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正確答案：A. 二氯矽烷與氨
以LPCVD形成氮化矽膜時，一般是使二氯矽烷（SiH2Cl2）與氨（NH3）在約700～800 ℃反應（3SiH2Cl2 + 4NH3 → Si3N4 + 6HCl + 6H2），可得到接近化學計量比的緻密薄膜。需通入過量的氨以維持組成。需要低溫時則使用電漿CVD或ALD。矽烷與氧用於氧化膜，WF6與氫則用於鎢的成膜。