薄膜沉積（CVD與PVD）
關於低壓CVD（LPCVD）的特徵，下列何者正確？
- A因在低壓下進行，膜厚均勻性佳，且可一次處理大量晶圓
- B因在大氣壓下進行，裝置最為簡單
- C因使用電漿，可在室溫成膜
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正確答案：A. 因在低壓下進行，膜厚均勻性佳，且可一次處理大量晶圓
LPCVD是減壓至數十～數百Pa左右進行的熱CVD。減壓後氣體分子的擴散變快，成膜速率由表面反應決定（表面反應限速），因此即使將晶圓以數mm的間隔直立排列100片以上，也能得到均勻的薄膜。階梯覆蓋率也佳，用於多晶矽、氮化矽膜、TEOS氧化膜等的成膜。溫度高達600～800 ℃左右，無法用於配線形成之後。