什麼是SiC(碳化矽)

能隙約 3.3 eV 的寬能隙半導體。絕緣崩潰電場高，用於高耐壓、低損耗的功率元件。

日文名稱: SiC(炭化ケイ素)

「SiC(碳化矽)」出現在1領域的1道練習題中（矽晶圓等）。

這個名詞所屬的領域: 功率半導體

練習SiC(碳化矽)的題目

SiC晶圓製造困難又昂貴的原因之一，下列哪一項是正確的？

  1. A因為用CZ法可以非常快速地成長晶體
  2. B因為原料比矽更豐富
  3. C因為在常壓下不會熔化，必須以昇華法等在高溫下成長晶體，成長緩慢且容易產生缺陷
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正確答案：C. 因為在常壓下不會熔化，必須以昇華法等在高溫下成長晶體，成長緩慢且容易產生缺陷

SiC在常壓下不會熔化，而是在約2700 ℃昇華，因此無法像矽那樣從熔液中拉晶。它採用昇華法(改良型Lely法)成長：在2000〜2500 ℃使原料粉末昇華，再於溫度稍低的晶種上再結晶，所以成長速度為每小時0.1〜1 mm左右，不到矽的百分之一，也容易產生差排等缺陷。此外它非常堅硬，切割與拋光也很費時。

解析中的「SiC(碳化矽)」

出現「SiC(碳化矽)」的題目（1題）

  1. SiC晶圓製造困難又昂貴的原因之一，下列哪一項是正確的？

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