高密度電漿CVD（HDP-CVD）一直被用於狹窄溝槽之絕緣膜填充，其理由為下列何者？

正確答案：A. 因為在成膜的同時，以離子濺射削去開口部的薄膜，可抑制空洞而完成填充

以一般CVD填充狹窄溝槽時，開口部的邊角會附著較厚的薄膜而先被封住，內部可能殘留空洞（void）。HDP-CVD在10¹¹ cm⁻³以上的高密度電漿中成膜的同時，利用基板偏壓引入的氬等離子，從斜向削去開口部邊角的薄膜，因此可由底部依序填滿。用於0.25～65 nm世代的STI與配線間的填充，更狹窄的溝槽則使用流動性CVD等。