薄膜沉積（CVD與PVD）
關於電漿輔助CVD（PECVD）的主要優點，下列何者正確？
- A需要比熱CVD更高的溫度
- B薄膜中完全不含氫
- C可在比熱CVD更低的溫度下成膜
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正確答案：C. 可在比熱CVD更低的溫度下成膜
電漿CVD利用電漿中電子的能量使原料氣體分解、活化，因此能以約300～400 ℃的溫度成膜，低於僅靠熱反應的熱CVD（約600～800 ℃）。用於鋁或銅配線形成後等無法高溫的製程，沉積層間絕緣膜與保護膜。另一方面，薄膜中容易含有源自原料氣體的氫，膜質有劣於熱CVD的傾向。