薄膜沉積（CVD與PVD） 就相同材料的薄膜比較時，高溫熱CVD膜一般優於電漿CVD膜的點為下列何者？ A成膜溫度低 B成膜速率一定較快 C薄膜緻密，氫等雜質少 查看答案與解析 正確答案：C. 薄膜緻密，氫等雜質少 在高溫熱CVD中，原料充分反應而形成緻密的薄膜，源自原料的氫等雜質也少，組成也接近化學計量比。例如LPCVD氮化膜的氫在數%以下，而電漿CVD的氮化膜有時含有20%左右。電漿CVD雖可低溫成膜，但膜較疏鬆，蝕刻速率有偏快的傾向，因此需依製程的溫度限制與所需的膜質來區分使用。