薄膜沉積（CVD與PVD）
關於以電漿CVD沉積之氮化矽膜的特徵，下列何者正確？
- A含有較多的氫，密度容易比熱CVD膜低
- B完全為化學計量組成（Si3N4），不含氫
- C像金屬一樣導電
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正確答案：A. 含有較多的氫，密度容易比熱CVD膜低
電漿CVD的氮化矽膜是使矽烷與氨等在300～400 ℃的低溫反應而成，因此以Si-H或N-H的形式含有約10～30%的氫，組成也偏離SiNx。因此密度比熱CVD膜低，蝕刻速率有偏快的特徵。即便如此，它仍不易讓水分或鈉通過，且可低溫成膜，因此用於晶片最上層的保護膜（鈍化膜）、銅配線的擴散阻擋膜等。
- A. 正確。含有較多的氫，密度偏低。
- B. 因為是低溫成膜，含有氫，組成也容易偏離。
- C. 氮化矽膜是絕緣體。