在CVD中，成膜面積越大的晶圓或圖案會消耗越多原料，使成膜速率下降的現象稱為什麼？

正確答案：B. 負載效應（loading effect）

在CVD中，進行反應的表面積越大，原料氣體的消耗越多，在供應跟不上的地方成膜速率會下降。成膜速率會因晶圓片數或露出的圖案面積（圖案密度）而改變的這種現象就是負載效應，在批次爐中，爐口側與深處的膜厚會不同，在晶片內密集區域與稀疏區域的膜厚也會不同。需藉由調整氣體流量或溫度分布來補償。

• A. 電致遷移是配線的金屬原子因電流而移動的現象。
• B. 正確。是因原料消耗造成的成膜速率下降。
• C. 通道效應是離子植入時離子沿晶體間隙深入前進的現象。