氧化與擴散 以相同的稀氫氟酸蝕刻時，熱氧化層與以 CVD 成膜的氧化層，其蝕刻速率的一般關係為何？ A熱氧化層較慢（較緻密） B熱氧化層較快 C兩者必定以相同速度被蝕刻 查看答案與解析 正確答案：A. 熱氧化層較慢（較緻密） 熱氧化層緻密且缺陷少，因此在稀氫氟酸（例如 1%）中的蝕刻速率很慢，每分鐘僅數 nm 左右。CVD 氧化層依成膜條件可能密度較低，或含有氫與水分，一般蝕刻速率較快。相對於熱氧化層的蝕刻速率比（WERR）被用作膜質的指標，經退火緻密化後會接近熱氧化層。