CVD란?

しーぶいでぃー

化学気相成長。原料ガスの化学反応によってウエハ上に薄膜を堆積する方法。

일본어 명칭: CVD

CVD은(는) 화합물 반도체 등 1개 분야의 연습 문제 1개에 나와요.

분야: 박막 증착(CVD와 PVD)

도전해 보기: CVD 관련 문제

궁극의 반도체 재료로도 불리는 다이아몬드의 특징으로 올바른 것은?

  1. A밴드갭이 작아 낮은 전압에서만 사용할 수 있다
  2. B전기가 통하는 금속이다
  3. C약 5.5 eV의 큰 밴드갭과 매우 높은 열전도율을 가진다
정답과 해설 보기

정답: C. 약 5.5 eV의 큰 밴드갭과 매우 높은 열전도율을 가진다

다이아몬드는 약 5.5 eV의 밴드갭, 약 10 MV/cm의 절연 파괴 전계, 약 2000 W/(m·K)로 물질 중 최고 수준의 열전도율을 가지며, 파워 디바이스의 성능 지수가 SiC를 더욱 웃돌기 때문에 "궁극의 반도체"라고 불립니다. 기상 합성(CVD)으로 박막이나 기판을 만들지만, 크고 고품질인 기판의 제조와 n형 불순물 첨가가 어려운 것이 과제이며, 일본의 연구 기관이 개발을 선도하고 있습니다.

해설 속 CVD

CVD이(가) 나오는 문제 (1)

  1. 궁극의 반도체 재료로도 불리는 다이아몬드의 특징으로 올바른 것은?

이 용어가 포함된 비교

관련 용어

SiC(炭化ケイ素) 領域選択成膜 反応性スパッタリング 電解めっき 真空蒸着 静電チャック ALD HDP-CVD(高密度プラズマCVD) LPCVD(減圧CVD) PECVD(プラズマCVD)

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