下列何者是GaN HEMT使用SiC作為基板的主要理由之一？

正確答案：C. 因為熱導率高，容易將元件的熱散去

高功率的GaN HEMT熱會集中在閘極附近，溫度上升時性能與壽命會下降。SiC的熱導率約為400 W/(m·K)，比Si（約150）與藍寶石（約35）高，且與GaN的晶格失配約3.5%也相對較小，因此用於基地台與雷達用的高頻、高功率GaN HEMT的基板（GaN-on-SiC）。重視成本的功率用途則使用Si基板。