化合物半導體
下列何者是以MOCVD法添加鎂的GaN在剛成長完時呈高電阻而不成為p型的主要理由，以及其對策的正確組合？
- A因為Mg蒸發而消失，所以多添加Mg
- B因為氫與Mg鍵結使受體不活化，所以在氮氣中熱處理或以電子束照射使其活化
- C因為GaN是絕緣體，所以不可能p型化
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正確答案：B. 因為氫與Mg鍵結使受體不活化，所以在氮氣中熱處理或以電子束照射使其活化
源自MOCVD原料氨等的氫與Mg鍵結而形成Mg-H複合體，使其無法發揮受體的作用。1989年天野浩先生等人以電子束照射成功p型化，1992年中村修二先生等人找到了在氮氣中以約700 ℃熱處理（退火）將氫趕出的、適合量產的方法。由於查明了原因是氫，藍光LED與雷射的實用化一口氣向前推進。
- A. 不是Mg消失，而是因與氫鍵結而不活化。
- B. 正確。將氫趕出使Mg活化。
- C. GaN經過適當處理即可成為p型。