化合物半導體
下列何者是作為下一世代功率半導體材料而研究不斷進展的氧化鎵（Ga2O3）的特徵？
- A能隙比Si小
- B在常溫下如金屬般運作
- C具有比SiC或GaN更大的能隙（約4.5～4.9 eV）
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正確答案：C. 具有比SiC或GaN更大的能隙（約4.5～4.9 eV）
Ga2O3的能隙約為4.5～4.9 eV，比SiC與GaN更大，預估崩潰電場約為8 MV/cm，是有望達成更高耐壓與更低損耗的材料。與SiC及GaN不同，它可從熔液中成長晶體，因此基板有可能便宜且大口徑化，由日本的企業與研究機構引領開發。另一方面，不易製作p型與熱導率低是其課題。