化合物半導體

下列何者是AlGaAs這類混晶半導體的優點?

  1. A即使不添加雜質也必定成為n型
  2. B必定成為間接躍遷型
  3. C藉由改變組成比,可以調整能隙與晶格常數
查看答案與解析

正確答案:C. 藉由改變組成比,可以調整能隙與晶格常數

混晶半導體可藉由改變元素的組成比,連續調整能隙與晶格常數。AlGaAs隨著Al的比例增加,能隙會從1.42 eV逐漸變大,而且晶格常數與GaAs幾乎相同,因此可在GaAs上無應變地堆疊。利用這種組合可製作出侷限電子與光的異質結構,催生了半導體雷射與HEMT。

練習這個領域 前往領域頁面

化合物半導體的其他題目

  1. 下列何者是HEMT(高電子遷移率電晶體)的代表性用途?
  2. 在GaN元件中,下列何者通常被用作成長GaN層的基板?
  3. 下列何者是作為下一世代功率半導體材料而研究不斷進展的氧化鎵(Ga2O3)的特徵?
  4. 能隙約1.42 eV的GaAs所發出的光,其大約的波長是下列何者?
  5. 關於GaAs等化合物半導體晶圓的一般口徑,下列何者正確?