什麼是寬能隙半導體

能隙比矽更大的半導體。例如 SiC 與 GaN 等。絕緣崩潰電場高，耐高電壓、高溫下的動作。

日文名稱: ワイドバンドギャップ半導体

「寬能隙半導體」出現在2領域的2道練習題中（半導體物性, 功率半導體等）。

這個名詞所屬的領域: 化合物半導體

練習寬能隙半導體的題目

下列何者最接近室溫下矽（Si）的能隙？

  1. A約0.66 eV
  2. B約1.12 eV
  3. C約3.4 eV
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正確答案：B. 約1.12 eV

矽的能隙在室溫下約為1.12 eV，可吸收的光波長上限約為1.1 µm（1240÷1.12）。約0.66 eV是鍺，因能隙較小，高溫時漏電流容易增加；約3.4 eV是GaN，為適合高耐壓、高溫操作及藍光LED的寬能隙半導體。矽介於兩者之間，再加上能製作出良好的熱氧化膜（SiO2），因而成為LSI的主角。

像SiC與GaN這樣，能隙比矽大的半導體之總稱為下列何者？

  1. A寬能隙半導體
  2. B窄能隙半導體
  3. C非晶半導體
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正確答案：A. 寬能隙半導體

能隙大致在3 eV前後以上的半導體稱為寬能隙半導體，代表有SiC（約3.3 eV）與GaN（約3.4 eV）。它們的崩潰電場高、本質載子少，即使在高溫下也容易運作，可用於高耐壓、低損耗的功率元件與高頻元件。能隙更大的Ga2O3（約4.8 eV）與鑽石（約5.5 eV）則稱為超寬能隙半導體。

解析中的「寬能隙半導體」

出現「寬能隙半導體」的題目（2題）

  1. 下列何者最接近室溫下矽（Si）的能隙？
  2. 像SiC與GaN這樣，能隙比矽大的半導體之總稱為下列何者？

出現這個名詞的比較

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