化合物半導體
下列何者是難以用GaAs製作像矽那樣的CMOS電路的理由之一？
- A因為GaAs的電洞遷移率比電子小很多，難以製作高性能的p通道電晶體
- B因為GaAs的電子遷移率太小
- C因為GaAs不吸收光
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正確答案：A. 因為GaAs的電洞遷移率比電子小很多，難以製作高性能的p通道電晶體
GaAs的電子遷移率約為8500 cm²/V·s，比矽大，但電洞遷移率只有約400 cm²/V·s，相差近20倍。CMOS需要性能相當的n通道與p通道，因此GaAs難以製作高性能的CMOS。不易製作良好的閘極絕緣膜也是原因之一。因此在先進邏輯中，也曾研究nMOS使用InGaAs、pMOS使用Ge的組合。
- A. 正確。電洞遷移率小，p通道較弱。
- B. GaAs的特徵是電子遷移率比矽大。
- C. GaAs是直接躍遷型，會大量吸收光。