化合物半導體
下列何者是目前普及的GaN功率元件大多採用的結構？
- A製作在Si基板等之上的橫向HEMT結構
- B縱向閘流體結構
- C雙極性電晶體結構
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正確答案：A. 製作在Si基板等之上的橫向HEMT結構
目前大多數GaN功率元件，是在Si基板上磊晶成長GaN的橫向HEMT。由於可使用大口徑且便宜的Si基板與既有的Si晶圓廠，得以壓低成本，並運用高速切換的特性，普及於100～650 V等級的充電器、資料中心電源與車載設備。此外，針對高耐壓、大電流用途，也在研究使用GaN基板並讓電流縱向流動的縱向元件。