化合物半導體

下列何者是HEMT(高電子遷移率電晶體)的代表性用途?

  1. A衛星廣播接收器或行動電話基地台等的高頻、低雜訊放大器
  2. BDRAM的記憶單元
  3. C利用太陽光的熱發電
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正確答案:A. 衛星廣播接收器或行動電話基地台等的高頻、低雜訊放大器

HEMT以異質接面界面形成的二維電子氣作為通道,並將供應電子的雜質與電子行進的層分開(調變摻雜),因此雜質散射少,能在高頻進行低雜訊放大。1980年由富士通的三村高志先生發明。GaAs系HEMT用於衛星廣播接收器與電波望遠鏡,GaN系HEMT則用於行動電話基地台與雷達的功率放大器。

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