下列何者是使用InP或GaAs的HBT（異質接面雙極性電晶體）所用於的應用範例？

正確答案：B. 光通訊或無線通訊的高速、高頻電路

化合物半導體的HBT利用寬能隙的射極抑制電洞的逆注入，使基極能做到高濃度且薄，加上電子遷移率高，因此速度快。GaAs系（InGaP/GaAs）HBT可用單一電源運作且效率高，是智慧型手機傳送用功率放大器的主流；InP系HBT則運用數百GHz的fT，用於超過100 Gb/s的光通訊電子電路與太赫茲頻段的研究。