下列何者是在GaAs高頻IC中使用半絕緣性GaAs基板的正確優點？

正確答案：A. 基板電阻非常高，寄生電容與訊號損耗小

GaAs藉由使碳雜質與形成深能階的缺陷（EL2）互相補償，可製成電阻率10⁷ Ω·cm以上的半絕緣性基板。經由基板的訊號洩漏與寄生電容變小，因此電晶體之間的隔離簡單，電感與傳輸線等被動元件也能以低損耗製作在同一片基板上。在矽中，基板的導電性會造成高頻損耗，因此需要設計SOI或高電阻基板。