在InP基板上使調整過組成的InGaAs晶格匹配地成長，下列何者是其正確的優點？

正確答案：B. 藉由使晶格常數一致，可獲得錯位少的高品質晶體

像In0.53Ga0.47As這樣調整組成後，可使InGaAs的晶格常數與InP（約0.587 nm）幾乎一致（晶格匹配）。晶格常數一致就不易產生應變與錯位，即使是厚層也能得到高品質的晶體。此組成的InGaAs能隙約0.75 eV，可吸收至1.7 µm，最適合作為光通訊的受光元件，電子遷移率也高達約10000 cm²/V·s，因此也用於HEMT。