化合物半導體
下列何者是被稱為終極半導體材料的鑽石的正確特徵？
- A能隙小，只能在低電壓下使用
- B是導電的金屬
- C具有約5.5 eV的大能隙，以及非常高的熱導率
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正確答案：C. 具有約5.5 eV的大能隙，以及非常高的熱導率
鑽石具有約5.5 eV的能隙、約10 MV/cm的崩潰電場，以及約2000 W/(m·K)這種物質中最高等級的熱導率，作為功率元件的性能指標更勝SiC，因此被稱為「終極半導體」。其薄膜或基板以氣相合成（CVD）製作，但製造大而高品質的基板，以及n型雜質的添加都很困難，是其課題，由日本的研究機構引領開發。