化合物半導體
下列何者是長久以來作為GaAs高頻電晶體的MESFET閘極結構的正確描述？
- A在厚氧化膜上設置閘極的MOS結構
- B以PN接面作為閘極的結構
- C以金屬與半導體直接接觸的肖特基接面作為閘極的結構
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正確答案：C. 以金屬與半導體直接接觸的肖特基接面作為閘極的結構
MESFET（Metal-Semiconductor FET）以閘極金屬與半導體直接接觸的肖特基接面作為閘極，藉由其空乏層的寬度改變通道的厚度來控制電流。由於GaAs不易製作良好的絕緣膜，因此採用此結構取代MOS結構，在1970～90年代廣泛用於衛星廣播接收器與行動電話的高頻電路。現在已被性能更高的HEMT與HBT取代。
- A. 不是MOS結構，而是讓金屬直接接觸的結構。
- B. 以PN接面作為閘極的是接面型FET（JFET）。
- C. 正確。使用肖特基接面作為閘極。