화합물 반도체

GaAs, GaN, InP 등 화합물 반도체의 특징과 직접·간접 밴드갭의 차이를 객관식 문제로 학습합니다.

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화합물 반도체: 핵심 정리

화합물 반도체는 GaAs(갈륨비소), GaN(질화갈륨)처럼 두 가지 이상의 원소로 이루어진 반도체입니다. 3족과 5족 원소의 조합(III-V족)이 대표적입니다.

실리콘보다 전자 이동도가 높은 것, 직접 밴드갭을 가져 빛을 효율적으로 내는 것, 밴드갭이 큰 것 등이 있습니다. 고주파 소자, LED와 레이저, 전력 소자에 사용됩니다.

화합물 반도체 전체 문제 (50)

  1. 갈륨비소(GaAs)의 밴드 구조로 올바른 것은?
  2. III-V족 화합물 반도체로 분류되는 것은?
  3. GaAs가 휴대전화의 고주파 증폭기 등에 사용되어 온 주된 이유로 가장 적절한 것은?
  4. InP(인화인듐)계 화합물 반도체가 주로 사용되는 용도는?
  5. 청색 LED의 발광층에 주로 사용되는 재료는?
  6. AlGaAs와 같은 혼정 반도체의 장점으로 올바른 것은?
  7. HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)가 사용되는 대표적인 용도는?
  8. GaN 디바이스에서 GaN층을 성장시키는 기판으로 일반적으로 사용되는 것은?
  9. 차세대 파워 반도체 재료로 연구가 진행 중인 산화갈륨(Ga2O3)의 특징으로 올바른 것은?
  10. 밴드갭이 약 1.42 eV인 GaAs에서 나오는 빛의 대략적인 파장은?
  11. GaAs 등 화합물 반도체 웨이퍼의 일반적인 직경에 대해 올바른 것은?
  12. 고휘도 적색~황색 LED에 사용되는 대표적인 재료는?
  13. 반도체 레이저나 LED의 발광층에 사용되는 양자 우물 구조에 대한 설명으로 올바른 것은?
  14. VCSEL(수직 공진기 면발광 레이저)의 특징으로 올바른 것은?
  15. GaAs 웨이퍼의 가공 부스러기나 폐기물을 취급할 때 주의가 필요한 이유로 올바른 것은?
  16. GaN이 고주파·고출력 트랜지스터에 적합한 이유로 올바른 것은?
  17. GaN HEMT의 기판으로 SiC가 사용되는 주된 이유 중 하나는?
  18. 살균용 등의 심자외선 LED 발광층에 주로 사용되는 재료는?
  19. 밴드갭이 서로 다른 여러 화합물 반도체층을 쌓은 다접합 태양전지의 특징으로 올바른 것은?
  20. GaN에서 p형층을 만드는 데 사용되는 대표적인 불순물은?
  21. GaN의 대표적인 결정 구조는?
  22. InP나 GaAs를 사용한 HBT(이종 접합 바이폴라 트랜지스터)가 사용되는 용도의 예로 올바른 것은?
  23. GaAs에 실리콘을 첨가하여 n형으로 만들 때, 실리콘이 주로 치환하는 위치는?
  24. GaAs 고주파 IC에서 반절연성 GaAs 기판을 사용하는 이점으로 올바른 것은?
  25. 마이크로 LED 디스플레이의 특징으로 올바른 것은?
  26. 현재 보급된 GaN 파워 디바이스 대부분이 채택하고 있는 구조는?
  27. 궁극의 반도체 재료로도 불리는 다이아몬드의 특징으로 올바른 것은?
  28. 실리콘과 비교했을 때 GaAs의 열전도율로 올바른 것은?
  29. InP 기판 위에 조성을 조정한 InGaAs를 격자 정합시켜 성장시킬 때의 이점으로 올바른 것은?
  30. 실리콘 포토닉스에서 레이저 광원에 화합물 반도체를 조합하는 이유로 올바른 것은?
  31. 고휘도 청색 LED의 발명으로 2014년 노벨 물리학상을 받은 연구자의 조합으로 올바른 것은?
  32. 갈륨비소(GaAs)를 구성하는 원소의 조합으로 올바른 것은?
  33. LED 조명이 백열전구에 비해 에너지를 절약하는 주된 이유는?
  34. 전자의 이동도가 매우 커서 자기 센서(홀 소자) 등에 사용되는 화합물 반도체는?
  35. GaAs 고주파 트랜지스터로 사용되어 온 MESFET의 게이트 구조로 올바른 것은?
  36. 최근 도포 등의 저온 공정으로 만들 수 있는 고효율 태양전지 재료로 연구가 활발한 결정 구조의 재료는?
  37. InGaN을 발광층으로 사용하는 LED에서 인듐(In)의 조성비를 크게 하면 발광 색은 어떻게 변하는가?
  38. 블루레이 디스크의 읽기·쓰기에 사용되는 파장 약 405 nm의 청자색 반도체 레이저의 재료는?
  39. 조성을 바꾸어 밴드갭을 조정할 수 있으며, 중적외선에서 장파장 적외선의 고성능 적외선 검출기에 사용되어 온 재료는?
  40. GaAs로 실리콘과 같은 CMOS 회로를 만들기 어려운 이유 중 하나로 올바른 것은?
  41. 실리콘게르마늄(SiGe)의 분류로 올바른 것은?
  42. GaAs 등의 기판 위에 트랜지스터와 함께 인덕터나 커패시터 등의 수동 소자를 집적한 고주파용 IC를 무엇이라고 하는가?
  43. AlGaAs와 같은 혼정 반도체의 격자 상수가 조성에 대해 거의 직선적으로 변한다는 경험칙을 무엇이라고 하는가?
  44. 노멀리 온형 GaN HEMT를 노멀리 오프 동작으로 안전하게 사용하기 위해 저내압 실리콘 MOSFET와 직렬로 조합하는 구성은?
  45. GaAs에 강한 전계를 가하면 전자가 이동도가 낮은 다른 밸리(골짜기)로 옮겨 가, 전계를 높여도 전류가 줄어드는 부성 미분 저항이 나타난다. 이를 이용한 발진 소자는?
  46. LED의 외부 양자 효율이 청색(InGaN계)과 적색(AlGaInP계)에서는 높은데, 그 사이의 녹색~황색 파장 영역에서 낮아지는 문제를 무엇이라고 하는가?
  47. 이종 접합의 밴드 배열에서 "타입 I"에 대한 설명으로 올바른 것은?
  48. MOCVD법으로 마그네슘을 첨가한 GaN이 성장 직후에는 고저항이며 p형이 되지 않는 주된 이유와 그 대책의 조합으로 올바른 것은?
  49. InGaN계 LED에서 전류를 크게 하면 발광 효율이 오히려 떨어지는 현상을 무엇이라고 하는가?
  50. LED의 정식 명칭으로 올바른 것은?

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