化合物半導體 下列何者是砷化鎵（GaAs）的能帶結構？ A直接躍遷型 B間接躍遷型 C沒有能隙 查看答案與解析 正確答案：A. 直接躍遷型 GaAs是導帶底部與價帶頂端在動量空間中位於相同位置的直接躍遷型，不需聲子（phonon）協助，電子與電洞即可複合並有效率地發光。因此用於紅外線LED與半導體雷射（光碟、通訊、臉部辨識的VCSEL）。矽是間接躍遷型，複合時需有聲子參與，所以發光效率極低。其光吸收也很強，只需薄層即可，因此也用於高效率太陽能電池。