化合物半導體
在異質接面的能帶排列方式中，下列何者是「第I型（Type I）」的正確說明？
- A能隙較小的材料的導帶下緣與價帶上緣，都落在能隙較大的材料的能隙內側
- B兩種材料的能隙不重疊
- C兩種材料的導帶與價帶錯開而呈交錯排列
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正確答案：A. 能隙較小的材料的導帶下緣與價帶上緣，都落在能隙較大的材料的能隙內側
在第I型中，能隙較小的材料的能帶落在能隙較大的材料的能帶內側，因此電子與電洞兩者都被侷限在能隙較小的層（如GaAs/AlGaAs）。用於在LED或雷射的量子井中有效率地複合。交錯排列的第II型則是電子與電洞分別位於不同的層，用於長波長紅外線偵測器（InAs/GaSb超晶格）等。
- A. 正確。電子與電洞兩者都被侷限在同一層。
- B. 完全不重疊的排列方式稱為第III型。
- C. 呈交錯排列的是第II型。