化合物半導體

關於半導體雷射或LED發光層所使用的量子井結構,下列說明何者正確?

  1. A以能隙大的層夾住能隙小的極薄層,侷限載子以提高發光效率的結構
  2. B將金屬層厚厚堆疊起來的結構
  3. C不含發光層的結構
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正確答案:A. 以能隙大的層夾住能隙小的極薄層,侷限載子以提高發光效率的結構

在量子井結構中,載子被侷限在數nm左右的薄發光層內,電子與電洞容易相遇,因此能有效率地發光。當層薄到與電子波長相當時,能階會變得不連續,可藉由層的厚度調整發光波長。在雷射中可大幅降低振盪所需的電流(閾值電流),將井堆疊多層的多重量子井(MQW)是LED與雷射的標準結構。

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