在鑽石半導體中，摻磷之n型層在室溫的電子密度遠小於磷濃度的主要原因，下列何者正確？

正確答案：B. 磷的施體能階距導帶約0.57 eV，很深，室溫下幾乎不會游離

施體要放出電子，必須藉熱把電子從施體能階提升到導帶。矽中磷的能階距導帶約0.045 eV，很淺，室溫下幾乎全部游離。鑽石半導體中磷的能階約0.57 eV，很深，遠大於室溫的熱能（約0.026 eV），因此大部分的磷不會放出電子。p型的硼約0.37 eV也偏深，摻雜的困難成為鑽石元件開發的重大課題。

• A. 是否為間接能隙影響發光效率，不是載子密度的原因。
• B. 正確。能階深是原因。
• C. 磷在鑽石中同樣作為施體。