化合物半導體
以氫終端表面所形成的導電層，被研究作為鑽石半導體電晶體通道的主要原因，下列何者正確？
- A表面正下方會形成電洞聚集的薄導電層，可避開深摻雜能階的問題，製作p通道電晶體
- B氫終端會使鑽石的能隙變成0 eV而成為金屬
- C氫終端可以輕易形成n型層
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正確答案：A. 表面正下方會形成電洞聚集的薄導電層，可避開深摻雜能階的問題，製作p通道電晶體
鑽石半導體中硼與磷的能階都很深，室溫下難以得到足夠的載子。以氫終端表面時，表面吸附物質與鑽石之間交換電子，在表面正下方形成二維電洞氣。吸附NO2等分子可提高電洞密度，以此層作為通道的p通道MOSFET正在研究中。佐賀大學在2023年發表了使用以NO2誘發電洞之鑽石MOSFET的功率電路運作成果。
- A. 正確。不依賴摻雜就能形成導電層。
- B. 能隙不變，只是在表面下方形成電洞層。
- C. 形成的是電洞層，不是n型層。