化合物半導體
對GaAs施加強電場時，電子會轉移到遷移率較低的另一個谷（valley），出現即使提高電場電流卻減少的負微分電阻。利用此現象的振盪元件是下列何者？
- A耿氏二極體（Gunn diode）
- B稽納二極體
- C光電二極體
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正確答案：A. 耿氏二極體（Gunn diode）
在GaAs中，被強電場（約3 kV/cm以上）加速的電子會轉移到能量高約0.3 eV、有效質量大的L谷，使漂移速度下降（電子轉移效應）。藉由此負微分電阻，內部會反覆產生並移動電荷團（domain），耿氏二極體只要施加直流就能振盪出微波。1963年由J. B. Gunn發現，長久以來用於汽車雷達與速度計等。
- A. 正確。是利用電子轉移效應的微波振盪元件。
- B. 稽納二極體是利用逆向崩潰的定電壓元件。
- C. 光電二極體是偵測光的元件。