下列何者是GaN適合用於高頻、高功率電晶體的正確理由？

正確答案：A. 因為能隙大、崩潰電場高，而且電子的飽和速度也高

GaN的崩潰電場約為Si的10倍，可在高電壓下運作，電子的飽和速度也高達約2.5×10⁷ cm/s，因此能在高頻處理大功率。此外，在HEMT結構中可得到約10¹³ cm⁻²的高密度二維電子氣，電流密度也大，可獲得比GaAs高數倍的功率密度。用於行動電話基地台、雷達、衛星通訊的功率放大器等。